CSD23280F3

功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

制造商:texas instruments

系列:FemtoFET?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):0.95V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.23nC @ 4.5V

Vgs(最大值):-6V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):234pF @ 6V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):116 毫欧 @ 400mA,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:3-PICOSTAR

封装/外壳:3-XFDFN

标准包装:1

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